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综合知识
真题 2023年上半年
静态读/写存储器(SRAM)6264芯片写入数据的过在芯片的Ao〜A12端加上要写入单元的地址,在DQ〜D12端加上要写入的数据,使和同时有效,在端加上有效的低电平,此时的电平(28)。
A
为低电平
B
可高可低
C
为高电平
D
与相反
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